-
1 процесс бестигельной зонной плавки
Solar energy: float-zone processУниверсальный русско-английский словарь > процесс бестигельной зонной плавки
-
2 кремний, полученный методом бестигельной зонной плавки
nmicroel. FZ-SiliziumУниверсальный русско-немецкий словарь > кремний, полученный методом бестигельной зонной плавки
-
3 кристалл, полученный методом бестигельной зонной плавки
nmicroel. FZ-KristallУниверсальный русско-немецкий словарь > кристалл, полученный методом бестигельной зонной плавки
-
4 кристаллизация методом вертикальной бестигельной зонной плавки
nmicroel. Zonenfloating-VerfahrenУниверсальный русско-немецкий словарь > кристаллизация методом вертикальной бестигельной зонной плавки
-
5 метод бестигельной зонной плавки
nmicroel. Floating-Zone-Verfahren, Zonen-Floating-Verfahren, tiegelfreies Zonenschmelzen, tiegelfreies ZonenschmelzverfahrenУниверсальный русско-немецкий словарь > метод бестигельной зонной плавки
-
6 монокристалл кремния, полученный методом бестигельной зонной плавки
nmicroel. Floating-Zone-SiliziumУниверсальный русско-немецкий словарь > монокристалл кремния, полученный методом бестигельной зонной плавки
-
7 монокристалл, полученный методом бестигельной зонной плавки
nmicroel. FZ-KristallУниверсальный русско-немецкий словарь > монокристалл, полученный методом бестигельной зонной плавки
-
8 метод
метод м. биений между несущими частотами тел. Differenzträgerempfangsverfahren n; Differenzträgerverfahren nметод м. Брэгга Braggsche Drehkristallmethode f; Drehkristallmethode f; крист. Drehkristallmethode f von Braggметод м. ван Аркеля-де-Бора ж. Aufwachsverfahren n; Heißdrahtverfahren n; крист. Van-Arkel-de-Boer-Verfahren nметод м. Вентцеля-Крамерса-Бриллюэна WKB-Methode f; WKB-Näherung f; Wentzel-Kramers-Brillouin-Näherung f; quasiklassische Näherung fметод м. визуального потока с помощью красителей аэрод. Anstrichmethode f; аэрод. Anstrichverfahren nметод м. ВКБ WKB-Methode f; WKB-Näherung f; Wentzel-Kramers-Brillouin-Näherung f; quasiklassische Näherung fметод м. вращающегося кристалла Braggsche Drehkristallmethode f; Drehkristallmethode f; крист. Drehkristallmethode f von Braggметод м. вращающегося кристалла (для определения кристаллической структуры рентгеновским методом) Drehkristallmethode fметод м. Вульфа-Брэгга Braggsche Drehkristallmethode f; Drehkristallmethode f; крист. Drehkristallmethode f von Braggметод м. Дебая-Шеррера Debye-Scherrer-Methode f; крист. Debye-Scherrer-Verfahren n; опт. Kristallpulvermethode f; мет. Pulvermethode f; Pulververfahren nметод м. дополнительного канала промежуточной частоты Paralleltonbetrieb m; тел. Paralleltonverfahren nметод м. доступа через телекоммуникации Telekommunikations-Zugriffsmethode f; Zugriffsmethode f für Datenfernverarbeitungметод м. замещения Ersatzverfahren n; Substitutionsmethode f; Substitutionsverfahren n; Zweistrahlmethode f; Zweistrahlverfahren nметод м. изотопных индикаторов Indikatormethode f; Indikatorverfahren n; Isotopenmethode f; Leitisotopenmethode f; яд. Tracer-Methode f; Tracer-Verfahren nметод м. испытаний Probenmethode f; Prüftechnik f; Prüfungsverfahren n; Prüfverfahren f; Testverfahren nметод м. итераций Iterationsmethode f; мат. Iterationsverfahren n; Methode f der schrittweisen Näherung; Methode f der sukzessiven Approximationen; sukzessives Approximationsverfahren nметод м. итераций Пикара Iterationsmethode f; мат. Iterationsverfahren n; Methode f der schrittweisen Näherung; Methode f der sukzessiven Approximationen; sukzessives Approximationsverfahren nметод м. конечных элементов мат. Elementenmethode f; мат. FE- Methode f; Finit-Element-Methode f; мат. Finite-Element-Methode f; FEMметод м. меченых атомов Indikatormethode f; Indikatorverfahren n; Isotopenmethode f; Leitisotopenmethode f; яд. Tracer-Methode f; Tracer-Verfahren n; Traceverfahren nметод м. многоканальное во времени Zeitmultiplex m; свз. Zeitmultiplexverfahren n; Zeitteilverfahren nметод м. многоканальное по времени Zeitmultiplex m; свз. Zeitmultiplexverfahren n; Zeitteilverfahren nметод м. наименьших квадратов Methode f der kleinsten Quadrate; Methode f der kleinsten Quadratsummenметод м. накопления двоичной информации на ЭЛТ ж., в котором 0 изображается точкой, 1 - тире с. Punkt-Strich-Verfahren nметод м. непосредственной оценки Methode f der direkten Anzeige; direktanzeigendes Verfahren n; direktzeigendes Verfahren nметод м. непрерывного бетонирования с применением скользящей опалубки Gleitbauverfahren n; Gleitbauweise fметод м. обработки бум. Aufschlußverfahren n; Behandlungstechnik f; Behandlungsweise f; Kochverfahren n; Verarbeitungsmethode fметод м. оптической звукозаписи Lichttonverfahren n; fotooptisches Tonaufzeichnungsverfahren n; optisches Tonaufzeichnungsverfahren nметод м. отражённых волн Reflexionsseismik f; геоф. Reflexionsverfahren n; reflexionsseismisches Prospektionsverfahren n; reflexionsseismisches Verfahren nметод м. отражённых сейсмических волн Reflexionsseismik f; геоф. Reflexionsverfahren n; reflexionsseismisches Prospektionsverfahren n; reflexionsseismisches Verfahren nметод м. Пикара Iterationsmethode f; мат. Iterationsverfahren n; Methode f der schrittweisen Näherung; Methode f der sukzessiven Approximationen; sukzessives Approximationsverfahren nметод м. последовательной подстановки Methode f der sukzessiven Substitution; sukzessive Substitution fметод м. последовательных приближений мат. Annäherungsverfahren n; Iterationsmethode f; мат. Iterationsverfahren n; Methode f der schrittweisen Näherung; Methode f der sukzessiven Approximation; Methode f der sukzessiven Approximationen; мат. sukzessive Approximationsmethode f; sukzessives Approximationsverfahren nметод м. постоянного тока геоф. Gleichstromprospektionsverfahren n; Gleichstromverfahren n; geoelektrische Gleichstromsondierung fметод м. преломлённых волн Refraktionsseismik f; геоф. Refraktionsverfahren n; refraktionsseismisches Prospektionsverfahren n; refraktionsseismisches Verfahren nметод м. преломлённых сейсмических волн Refraktionsseismik f; геоф. Refraktionsverfahren n; refraktionsseismisches Prospektionsverfahren n; refraktionsseismisches Verfahren nметод м. проб и ошибок Methode f des systematischen Probierens; Probiermethode f; Rechnungsverfahren n mit fortschreitenden Näherungswerten; киб. Trial-and-error-Methode f; киб. Versuchsverfahren nметод м. прозвучивания Durchschallungsprüfung f; Durchschallungsverfahren n; Schalldurchstrahlungsverfahren nметод м. разностной факторизации Differenzenfaktorisierungsmethode f; мат. Methode f der Differenzenfaktorisierungметод м. сеток м. Differenzenverfahren n; Differenzmethode f; Differenzmeßmethode f; мат. Differenzverfahren n; Gitterpunktmethode fметод м. совпадения дробных частей порядков интерференции Bruchteilmethode f; Ordnungsbestimmung f nach der Bruchteilmethodeметод м. средних значений и средних квадратических отклонений Mittelwert-Standardabweichung-Verfahren nметод м. статистических испытаний Monte-Carlo-Methode f; Monte-Carlo-Technik f; Monte-Carlo-Verfahren nметод м. тангенциальной подачи Axialverfahren n; Tangentialverfahren n; Tangentialvorschubverfahren nметод м. тарирования Ersatzverfahren n; Substitutionsmethode f; Substitutionsverfahren n; Zweistrahlmethode f; Zweistrahlverfahren nметод м. фотоупругости Spannungsoptik f; fotoelastisches Verfahren n; spannungsoptisches Verfahren nметод м. цветного изображения с последовательным чередованием цветов по точкам или элементам изображения Punktfolgefarbenverfahren n; Punktfolgeverfahren nметод м. цветного телевидения с последовательной передачей точек Punktfolgefarbenverfahren n; Punktfolgeverfahren n; Punktwechselverfahren nметод м. чёрного ящика (метод исследования четырёхполюсника или многополюсника по взаимозависимостям входных и выходных параметров) киб. Blackbox-Methode f -
9 плазменная металлургия
плазменная металлургия
Неорганич. полупроводниковых вещ-в и материалов и изделий из них с задан. св-вами.
Возникновение этого направления м. связано с изобретением в конце 1940-х гг. полупроводникового триода (транзистора). В н. в. класс полупроводниковых вещ-в и материалов весьма обширен (см. Полупроводниковые вещества). Для их получения применяются как методы, основ, на кристаллизации расплавов, так и методы кристаллизации из паровой (газ.) фазы. Компактные слитки и изделия можно изготовлять тж. прессованием порошков, экструзией и др. известными в металлургии методами. Полупроводниковые вещ-ва могут иметь монокристаллич., поликристаллич., нанокристаллич. и аморфную структуры.
Задача обеспеч. вые. чистоты конечного продукта от неконтролир. примесей наиб, важна в произ-ве полупроводниковых материалов. При получении (синтезе) полупроводниковых материалов использ. высокочистые исх. химич. элементы или высокочистые химич. соединения. Технологич. операции при необходимости осуществл. в спец. чистых произ-венных помещениях и боксах. Соблюдаются соответст. условия технологич. гигиены. Разработаны и использ. разнообразные методы изготовления высокочистых вещ-в и материалов: ректификац. очистка, дистилляция, возгонка, очистка на ионообменных смолах, очистка методами электрохимии, кристалли-зац. методы очистки и др. Для получения высокочистых химич. элементов или вещ-в широко применяются методы водородного восстановления, термич. разложения предварит, очищ. химич. соединений. Для выращивания монокристаллов из расплавов использ. методы Чохральского, Бриджмена, бестигельной зонной плавки, горизонт, зонной плавки. Для выращивания из паровой фазы — метод сублимации, метод газотранспортных химич. реакций, метод термич. разложения паров химич. соединений и др. Слои и пленки выращ. методами газ., жидкофазной, молекулярно-лучевой эпитаксии и рядом др. способов. Технологич. процессы и оборудование, использ. в произ-ве полупроводниковых материалов, позволяют получать малодислокац., с плотностью дислокаций s 103 см~2, и бездислокац. полупроводниковые материалы с вые. однородностью св-в. Напр., монокристаллы Si выращивают бездислокац., и при диам. 200 мм неоднородность св-в не превышает 2-5 %.
Исходя из уровня требований к кач-ву продукции и тех технологич. приемов и оборудования, с помощью к-рых достигается
необх. кач-во продукции, п. м. можно отнести к прециз. По объему выпускаемой продукции — это малотоннажное произ-во. Напр., выпуск монокристаллов Si в мировом масштабе составлял в 1994 г. ок. 7500 т. На рынок кремний большей частью поступает в виде пластин, произ-во к-рых достигло в 1994 г. около 15 млрд. см2, когда произв-во германия составляло ок. 100 т в год, арсенида галлия — десятки т, фосфидов индия и галлия — ед. т.
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > плазменная металлургия
-
10 вольфрам
вольфрам
W
Элемент IV группы Периодич. системы; ат. н. 74, ат. м. 183,85; тугоплавкий тяжелый металл светло-серого цвета. Природный W состоит из смеси пяти стабильных изотопов:"Х 182W, ""W, 184W, I86W. Был открыт и выделен в виде WO3 в 1781 г. швед, химиком К. Шееле. Металлич. W был получен восстановлением WO3 углеродом в 1783 г. исп. химиками братьями д'Элуяр. W мало распространен в природе; его содержание в земной коре 1 • КГ4 мас. %. В свободном состоянии не встречается, образует собственные минералы, гл. обр., вольфраматы (соли вольфрамовых кислот с общей формулой лсН2О • >>WO3, из кот-рых пром. значение имеют вольфрамит (Fe, Mn)WO4 (содержащий 74-76 % WO,) и шеелит CaWO4 (-80 % WO,).
W имеет ОЦК решетку с периодом а = = 0,31647 нм; у = 19,3 г/см*; tm = 3400 + 20 оС; tfm = 5900 °С; Х20.с= 130,2 Вт/(м • К), р20.с= = 5,5 • 10"* Ом • см. Для кованого слитка а.= = 1,0-4,3 ГПа; НВ = 3,5-4,0 ГПа; Е= 350+ 380 ГПа для проволоки и 390-410 ГПа для монокристаллич. нити. При комн. темп-ре W малопластичен. В обычных условиях W химически стоек. При 400—500 оС компактный металл заметно окисляется на воздухе до WO3. Галогены, сера, углерод, кремний, бор взаимодействуют с W при высоких темп-pax. С водородом W не реагирует до tm; с азотом выше 1500 °С образует нитрид. При обычных условиях W стоек к кислотам НСl, H2SO4, HNO, и HF, а также к царской водке. Валентность W в соединениях от 2 до 6, наиболее устойчивы соединения высшей валентности. W образует четыре оксида: высший — WO3 (вольфрамовый ангидрид), низший - WO2 и два промежуточных - W10O2, и W4Olr С хлором W образует ряд хлоридов и оксихлоридов. Наиболее важные их них: WCl6 (/1И = 275 оС, tfm= 348 °С) и WO2Cl2 (Скип = 266 оС, выше 300 оС сублимирует) — получаются при действии хлора на WO, в присутствии угля. С серой W образует сульфиды WS2 и WS,. Карбиды вольфрама WC (tm = 2900 оС) и W2C (tm = 2750 °С) — тв. тугоплавкие соединения; образуются при взаимодействии W с углеродом при 1000-1500 °С.
Сырьем для пром. получения W служат вольфрамитовые и шеелитовые концентраты (50-60 % WO,). Из концентратов непосредственно выплавляют ферровольфрам (сплав Fe с 65-80 % W), использ. в произ-ве стали. Для получения W, его сплавов и соединений выделяют WO3. В пром-сти применяют неск. способов получения WO3. Шеелитовые концентраты разлагают в автоклавах р-ром соды при 180—200 оС (получают техн. р-р вольфрамата натрия) или соляной кислотой (получают техническую вольфрамовую к-ту):
= Na2WO4
CaWO4(TB)
СаСО,(тв),
CaWO4(TB) + 2НСl(ж) = H2WO4(TB) +
+ СаСl2(р-р). ***#*
Вольфрамитовые концентраты разлагают либо спеканием с содой при 800-900 °С с последующим выщелачиванием Na2WO4 водой, либо обработкой при нагревании р-ром NaOH. При разложении щелочными агентами (содой или едким натром) образуется раствор Na2WO4, загрязн. примесями. После их отделения из р-ра выделяют H2WO4. Высушенный H2WO4 содержит 0,2—0,3 % примесей. Прокаливанием H2WO4 при 700—800 °С получают WO3, а уже из него металлич. W и его соединения. При этом для произ-ва металлич. W дополнительно H2WO4 очищают аммиачным способом. Порошок W получают восстановлением WO3 водородом, а также и углеродом (в произ-ве тв. сплавов) в трубчатых электрич. печах при 700—850 °С. Компактный металл получают из порошка способами порошковой металлургии в виде заготовок-штабиков, которые хорошо поддаются обработке давлением (ковке, волочению, прокатке и т.п.). Из штабиков методом бестигельной электроннолучевой зонной плавки получают также монокристаллы W.
W широко применяется в совр. технике в виде чистого металла и ряде сплавов, наиболее важные из которых легиров. конструкционные, быстрореж., инструмент. стали, тв. сплавы на основе карбида W, жаропрочные и нек-рые др. спец. сплавы (см. Вольфрамовые сплавы). Тугоплавкость и низкое давление пара при высоких темп-pax делают W незаменимым для деталей электровакуумных приборов в радио- и рентгенотехнике. В разных областях техники используют нек. хим. соединения W, напр. Na2WO4 (в лакокрасочной и текстильной пром-сти), WS2 (катализатор в органич. синтезе, тв. смазка для трения).
[ http://metaltrade.ru/abc/a.htm]Тематики
Синонимы
- W
EN
Русско-английский словарь нормативно-технической терминологии > вольфрам
См. также в других словарях:
Бестигельная зонная плавка — Бестигельная зонная плавка метод получения кристаллов из малого объёма расплава, формально являющийся разновидностью зонной плавки, не использующей тигля или иного контейнера. Фактически отсутствие контейнера приводит к необходимости… … Википедия
Зонная плавка — зонная перекристаллизация, кристаллофизический метод рафинирования материалов, который состоит в перемещении узкой расплавленной зоны вдоль длинного твёрдого стержня из рафинируемого материала. З. п. можно подвергать почти все технически… … Большая советская энциклопедия
зонная плавка — (зонная кристаллизация), процесс глубокой очистки вещества в технологии полупроводниковых материалов. Зонная плавка осуществляется расплавлением небольшого участка (зоны) или нескольких участков твёрдого слитка и последовательным их перемещением… … Энциклопедия техники
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — совокупность веществ с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале темп р, включающем комнатную темп ру Т=300 К, применяющихся для изготовления полупроводниковых приборов. Все П. м. можно разбить на неск. групп. 1)… … Физическая энциклопедия
Метод Чохральского — Схема метода Чохральского Метод Чохральского метод выращивания кристаллов путём вытягивания их вверх от свободной поверхности большого объёма распла … Википедия
Полупроводниковые материалы — Для улучшения этой статьи желательно?: Викифицировать статью. Полупроводниковые материалы вещества с чётко в … Википедия
ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ — (простые полупроводники), химические элементы, простые вещества которых проявляют полупроводниковые свойства (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ). Полупроводниковые свойства проявляют 12 химических элементов, находящихся в средней части Периодической системы Д.… … Энциклопедический словарь
Кристаллический кремний — Кристаллический кремний это основная форма, в которой используется кремний при производстве фотоэлектрических преобразователей и твердотельных электронных приборов методами планарной технологии. Активно развивается использование кремния в… … Википедия
Монокристаллический кремний — Кристаллический кремний это основная форма, в которой используется кремний при производстве фотоэлектрических преобразователей и твердотельных электронных приборов методами планарной технологии. Активно развивается использование кремния в виде… … Википедия
Мультикремний — Кристаллический кремний это основная форма, в которой используется кремний при производстве фотоэлектрических преобразователей и твердотельных электронных приборов методами планарной технологии. Активно развивается использование кремния в виде… … Википедия
плазменная металлургия — Неорганич. полупроводниковых вещ в и материалов и изделий из них с задан. св вами. Возникновение этого направления м. связано с изобретением в конце 1940 х гг. полупроводникового триода (транзистора). В н. в. класс полупроводниковых вещ в и… … Справочник технического переводчика